富士電機は３０日、大規模な風力発電システム向けにパワー半導体の品ぞろえを拡充すると発表した。第７世代ＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）モジュール「Ｘシリーズ」に１７００Ｖ耐圧製品を追加し、サンプル出荷を始めた。発熱の抑制により出力電流を従来に比べ最大３０％増加でき、機器の小型化やコスト低減に寄与する。同社は産業用モジュールの売上高を２０２３年度までに１８年度比２６％増を目指す。
ＩＧＢＴモジュールはモーター駆動用インバーターや無停電電源装置（ＵＰＳ）、太陽光・風力向けパワーコンディショナー（ＰＣＳ）といった機器に搭載される。
サンプル出荷を始めた１７００Ｖ耐圧製品は、欧州や中国を中心に拡大している大規模風力関連の需要を狙う。
モジュールは通電のオン・オフを行うＩＧＢＴ素子と還流機能を持つダイオード素子（ＦＷＤ）をパッケージ化したもの。新製品はＩＧＢＴとＦＷＤを薄くして表面構造を微細化した。第６世代の製品に比べ、インバーター動作時の電力損失を約１０％低減している。
モジュールは新たに開発した絶縁基板を使い、放熱性も向上させた。連続動作時に耐えられる温度を競合製品の１５０度より高い１７５度とし、搭載機器のサイズを維持しながら出力電流の増加を実現。価格は第６世代の製品と同等か、それ以下で提供する。
世界的な再生可能エネルギーの普及と共に、ＰＣＳなどに搭載される産業用ＩＧＢＴモジュールの需要も増加している。富士電機の推計によると、同モジュールの市場規模は１８年の約３５００億円から、年率３．５％の成長が見込まれるという。
その牽引役になるのが風力発電で、海外では単機容量、１地点当たりの規模共に拡大している。
電気新聞２０１９年７月３１日
