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総合・原子力

SiC半導体拡大に貢献/電中研など4者の研究、岩谷記念賞に選定

2024/03/11 2面 

贈呈式であいさつする土田氏
 電力中央研究所など4者は8日、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体の製造技術に関する研究開発が「第50回(2023年度)岩谷直治記念賞」に選定されたと発表した。電中研からはエネルギートランスフォーメーション研究本部の土田秀一氏が受賞した。主要工程の一つ「SiC単結晶膜」の製造で、高品質・大口径の単結晶膜を高速に製造する技術を確立。電力設備など、SiCパワー半導体の適用範囲拡大に貢献した点が認められた。



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