電力中央研究所は７日、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）を使った次世代パワー半導体に電流を流した時の特性（通電特性）を高精度に予測できるシミュレーション技術を開発したと発表した。この成果により電気の流れをオンオフする次世代パワー半導体において高電圧に耐えられる製品や、次世代型変圧器などの開発と実用化が加速すると期待している。
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