立命館大学発スタートアップのパテンティクス(滋賀県草津市、衣斐豊祐社長)は次世代パワー半導体材料として世界で注目が高まる「ルチル型二酸化ゲルマニウム」の薄膜を、6インチのシリコンウエハー上に形成することに成功した。今後は膜の品質を高めて2027年に6インチ基板のサンプル試作を目指す。ルチル型二酸化ゲルマニウムはパワー半導体に用いる既存の主流材料を上回る性能を秘めており、電力変換時のエネルギー損失を大幅に減らせる。パテンティクスはこの材料を量産化し、パワー半導体を巡る国際競争を勝ち抜きたいところだ。