三菱電機は5日、最新の第8世代IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を搭載したパワー半導体モジュールの採用検討期間を短縮するデータを無償で提供すると発表した。最新のパワー半導体を搭載したインバーター試作機の設計データと検証データを公開することでユーザーの業務負荷を軽減し、インバーターシステムの開発期間を短縮する。25日に提供を開始する。
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