半導体電力損失低減へ／三菱電機など、「自由電子」解明で

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半導体電力損失低減へ／三菱電機など、「自由電子」解明で

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　三菱電機は東京科学大学や筑波大学などと共同で、シリコンに注入した水素が特定の結晶欠陥と結びつくことで自由に動ける電子（自由電子）を生み出す仕組みを世界で初めて解明したと１４日に発表した。知見を適用したところ、半導体スイッチであるシリコン製ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）とダイオードの電力損失を従来比で１～２割ほど抑えられた。今回の成果を生かすことで半導体の性能向上につながるという。

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