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パワー半導体、窒化ガリウムで高効率化/名古屋大・天野教授ら

2018/05/21  4面 

大幅な省エネにつながるという窒化ガリウムを使ったパワー半導体の利点を強調する天野教授
大幅な省エネにつながるという窒化ガリウムを使ったパワー半導体の利点を強調する天野教授
◆要素技術にめど/電力損失、9割減に
 名古屋大学の天野浩教授らの研究チームは、電力の変換効率が格段に高いパワー半導体をつくるための要素技術を開発した。窒化ガリウム(GaN)で半導体の基板(ウエハー)を形成する技術と、その半導体の各層を加工する技術の2本建てだ。実用化に至れば交直変換時などの電力損失が従来型パワー半導体の1割程度で済む。パワー半導体は電動車や鉄道車両など社会で広く普及。窒化ガリウム基板のパワー半導体に置き換われば絶大な省エネ効果が見込める。天野教授らは2022年にも実用化したい考えだ。
 シリコン基板面に窒化ガリウム層を形成するパワー半導体は存在するものの、今回の研究成果は窒化ガリウムそのもので基板を形成する技術。製造方法が難しいため、文部科学省が窒化ガリウムで基板をつくる次世代半導体の研究プロジェクトとして開発に乗り出していた。



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